離子束濺射系統

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YCL50-A磁控濺射與離子束結合系統

YCL50-A磁控濺射與離子束結合系統

  • 詳細介紹

YCL50-A磁控濺射與離子束結合系統

YCL50-A磁控濺射與離子束結合系統

◆設備用途

用于纳米级单层及多层功能膜、 硬质膜、 金属膜、 半导体膜、 介质膜、 铁磁膜和磁性薄膜等的制备。 可广泛应用于半导体、 微电子及新材料领域。

◆設備組成

系统主要由溅射真空室、 磁控溅射靶、 基片水冷加热公转台、 Kaufman 离子枪、 四工位转靶、 工作气路、 抽气系统、 真空测量、 电控系统及安装机台等部分组成。

◆技術指標

极限真空度:≤6.67×10-5 Pa (经烘烤除气后);

系统真空检漏漏率:≤5.0×10-7 Pa.l/S;停机12小时≤5Pa.

系統短時間暴露大氣並充幹燥氮氣後,再開始抽氣,45分鍾可達到6.67×10-4Pa;

系統主要由蒸發真空室、E型電子槍、熱蒸發電極、旋轉基片加熱台、工作氣路、抽氣系統、真空測量、安裝機台及電控系統等部分組成。

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