離子束濺射系統

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CKG-60三靶共濺薄膜制備系統

CKG-60三靶共濺薄膜制備系統

  • 詳細介紹

CKG-60三靶共濺薄膜制備系統

CKG-60三靶共濺薄膜制備系統

◆設備用途

金屬和合金薄膜、半導體薄膜、磁性材料薄膜、氧化物和氮化物等電介質薄膜、新型功能薄膜、多層薄膜、多元彌散複合膜的制備。

◆主要配置及特點

主要由不鏽鋼真空室,真空及測量系統,供氣及流量控制系統,多樣品轉台(加熱、水冷、多層膜),膜厚儀,磁控靶(RF&DC),射頻、直流電源,電氣控制系統以及水冷系統等組成。采用磁控濺射方式沈積薄膜,可用于制備半導體薄膜、金屬薄膜、磁性材料薄膜,以及氧化物、氮化物薄膜等電介質薄膜。工作方式包括單靶獨立濺射沈積、程控輪流分層濺射沈積多層膜、三靶共濺射沈積彌散複合膜等。本系統所制備薄膜的均勻性較好(±5%)。

◆技術指標

1)真空系统采用机械泵-涡轮分子泵复合系统,30分钟真空度可达到6×10-4 Pa;

2)经48小时连续烘烤(120℃),磁控溅射室优于8×10-6 Pa;

3)濺射功率:<3000W;

4)基片加熱溫度:室溫~800℃;

5)基片最高偏壓:-200V;

6)膜厚不均勻性:±5%範圍內;

7)靶片直徑:76mm;

8)樣品直徑:76mm。

本文網址:/product/638.html

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